Lithographie bis sub-µm

Das FBH ermöglicht Lösungen für Problemstellungen im Bereich der Halbleiterstrukturierung:

Elektronenstahlbelichtungsanlage
Elektronenstahlbelichtungsanlage Vistec SB251
Waferstepper
Waferstepper NIKON NSR-2205i12D
Handlingroboter Belackungsanlage
Blick auf den zentralen Handlingroboter einer automatischen Belackungsanlage (Süss MicroTec ACS200)

Basisparameter

  • Elektronenstrahllithographie
    Vistec SB251: 50 kV, max. 20 A/cm2, Auflösung < 50 nm, Wafer bis 200 mm
  • Projektionslithographie
    Waferstepper Nikon Body 12: i-Linie (Wellenlänge 365 nm), Auflösung bis 0,45 µm
  • Kontaktlithographie
    Maskaligner Süss MA 100M & EVG 420: Auflösung bis 1,0 µm
  • Hilfsschichtfreie Strukturierung mit Schattenmasken bei geringen Strukturgrößenanforderungen

Verfahren

  • Strukturierung von photonischen Kristallen
    • Flexible Substratgrößen von Waferteilstücken bis 4“
    • Belichtung mit Elektronenstrahllithographie oder Waferstepper oder in Kombination beider Verfahren möglich
    • Einbettung der Lithographiedienstleitung in eine Prozesslinie mit der Möglichkeit der Kombination mit Strukturierungsverfahren wie z.B. Plasmaätzen
  • Strukturierung von Gates für Mikrowellentransistoren
    • Gateprozesse mit Elektronenstrahllithographie auf GaN verfügbar, GaN Embedded Gate 0,25 µm und 0,5 µm
    • Optische Gatelithographie bis 0,5 µm Gatelänge
    • Einbindung in eine III/V-Prozesslinie, kurze Waferreturnzeiten durch Auftragsbearbeitung im 2-Schicht-System
  • Lack-Strukturierung für Halbleiterprozesse
    • Hohe Reproduzierbarkeit durch Lackauftrag und Lackentwicklung auf Prozessrobotern
    • Prozessstandards für Lackdicken 0,5 µm .. 50 µm, Belichtung mit i-Linie und breitbandig, Positiv-, Umkehr- und Negativlacke verfügbar, Vorder - zu Rückseiten -Justage möglich
    • Freie Wahl der Substratgröße von Waferteilstücken bis 4’’-Wafern
    • Prozesserfahrungen auch mit weiteren Substratmaterialien wie z.B. ZnO, LiAlO2 u.a.
  • Hilfsschichtfreie Strukturierung z.B. von Metallstrukturen
    • Realisierung von Schattenmasken durch Lasermikrostrukturierung direkt aus den CAD-Daten
    • Scharfe Abbildung durch Vermeidung von Maskenverwerfungen durch mechanische Bearbeitung bzw. Wärmeeintrag bei der Herstellung
    • Komplettlösung inklusive Bedampfung oder Schattenmaskenherstellung als Dienstleistung