Epitaxieschichten

Das FBH bietet die Herstellung kundenspezifischer Halbleiter-Schichtstrukturen auf der Basis von GaAs, InP und GaN an. Als Epiwafer-Foundry realisiert es die vom Kunden vorgegebenen Schichtstrukturen mittels ausgereifter Epitaxieprozesse in exzellenter Qualität. Gemeinsam mit dem Kunden entwickelt das FBH auch neue Prozessschritte oder Produkte für spezielle Anwendungen.

Dafür steht folgende technische Ausstattung zur Verfügung:

Beladen eines planetarischen MOVPE-Reaktors
Beladen eines planetarischen MOVPE-Reaktors vor der Epitaxie von Schichtstrukturen für GaAs-Laserdioden
Vertikaler HVPE-Reaktor für das Wachstum von GaN-Einkristallen
Vertikaler HVPE-Reaktor für das Wachstum von GaN-Einkristallen

 

Für die GaAs-Epitaxie:

  • 1 Reaktor des Typs Aixtron 200/4 (3x2" oder 1x4")
  • 1 Multiwafer-Reaktor des Typs AIX 2400G3 (5x4")
  • 1 Multiwafer-Reaktor des Typs AIX 2800G4 (12x4")

Für die GaN-Epitaxie:

  • 1 Reaktor des Typs AIX 200/4-HT (1x2")
  • 1 Multiwafer-Reaktor des Typs AIX 2600G3 (11x2" bzw. 8x3")
  • 1 Multiwafer-Reaktor des Typs AiX 2600G3 (8x4")
  • 1 Multiwafer-Reaktor des Typs TSCC (6x2")
  • 1 horizontaler HVPE-Reaktor für dicke GaN- und AlGaN-Schichten
  • 1 vertikaler HVPE-Reaktor für GaN-Einkristalle

Neben der Schichtherstellung bietet das FBH eine umfassende Charakterisierung sowie eine Qualifizierung anhand von Bauelementen für optoelektronische und elektronische Anwendungen.