Ionenimplantation

Die Ionenimplantation dient der Modifikation der Eigenschaften des Werkstoffes. In den Wafer eindringende Ionen beeinflussen sowohl die elektrischen Eigenschaften als auch die Mikrostruktur des implantierten Bereiches. Die Eindringtiefe der Ionen und ihre laterale und vertikale Verteilung können in Abhängigkeit von ihrer Masse und ihrer Energie simuliert werden.

Technologie:

  • Implantationsenergien von 15 keV bis 400 keV
  • Implantationsquellen für Gase, Flüssigkeiten und Feststoffe bis maximal 250 amu
  • Aktivierung der Implantation durch thermische Behandlung (Rapid Thermal Annealing)
  • Laterale Strukturierung durch Fotolackmasken