Zerteilung der Halbleiterscheibe durch Trennschleifen in die einzelnen Bauelemente bzw. Schaltkreise.

Technologische Standardverfahren

• Sägen von GaAs, Saphir, SiC, Al₂O₃, Si, Quarzglas usw.
• Bearbeitung von 2"-, 3"-, 4"- und 6"-Wafern sowie von Waferteilstücken
• Lieferung des vereinzelten Wafers auf Folie im Standard-Dicingframe (Disco MODTF 2-5-1 bzw. 2-6-1) "ready for pick and place"