Verringerung der Dicke einer Halbleiterscheibe durch Läppen und Polieren von ca. 0,5 mm (500 µm) auf eine Enddicke von typisch 100 µm.

Technologische Standardverfahren

• Läppen und Polieren von GaAs, SiC, Saphir und Silizium
• Bearbeitung von 2"-, 3"- und 4"-Wafern sowie Waferteilstücken
• Messverfahren zur Dickenbestimmung
• Erzielte Dickenhomogenität typ. +/- 2 µm über 4"