Montage von Mikrowellen-Bauelementen

Zur detaillierten Charakterisierung, Alterung und zur Lieferung im Rahmen von Kooperationen montiert das FBH diskrete GaN-Mikrowellen-Transistoren mit Leistungen bis 100 W sowie MMICs bis in den mm-Wellen-Bereich, die in der Prozesslinie des FBH realisiert wurden.

  • GaN-Transistoren im Gehäuse
    [+] GaN-Transistoren im Gehäuse
  • Drahtgebondeter GaN-Transistorchip
    [+] Drahtgebondeter GaN-Transistorchip
  • Modul mit 2 Klasse-S-Leistungsverstärker-MMICs
    [+] Modul mit 2 Klasse-S-Leistungsverstärker-MMICs für die drahtlose Infrastruktur
  • GaN-Leistungsdiode im Gehäuse
    [+] GaN-Leistungsdiode im Gehäuse
  • Modul mit GaN-MMIC für die drahtlose Infrastruktur
    [+] Modul mit GaN-MMIC für die drahtlose Infrastruktur

Herausforderungen beim Aufbau dieser Bauelemente sind:

  • Thermisches Management bei Leistungsbauelementen (Sicherstellen eines niedrigen Wärmewiderstands)
  • Packaging für hohe Leistung und zugleich hohe Frequenzen (u.a. Handling hoher Ströme, Erzielen von möglichst geringen parasitären Effekten)
  • Elektrische Stabilität (möglichst geringe Schwingneigung)
  • Drahtbonden bei hoher Strombelastung der Bonds

Hier finden Sie technische Details und weitere Kenndaten zu den am FBH realisierten elektronischen Bauelementen.

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