Montage von Leuchtdioden für den UV-Spektralbereich

Die Montage der im Rahmen des Joint Labs mit der TU Berlin realisierten LEDs für den ultravioletten (UV) Spektralbereich kann je nach Anwendung und Wellenlänge sehr unterschiedlich sein. Die Gründe dafür liegen in den unterschiedlichen Anforderungen und den technologischen Ansätzen in der Epitaxie/Prozesslinie.

  • UV-LED in TO-Gehäuse
    [+] UV-LED in TO-Gehäuse
  • UV-LED in Gehäuse
    [+] UV-B-LED-Chip auf Keramik-Submount

UV-A-LEDs mit einer Emission um 365 nm und langerwelliger können noch über einen semitransparenten p-Kontakt über die Chipvorderseite abstrahlen. Sie werden mit der p-Seite nach oben (epi-up) aufgebaut. Die Wärmeabführung erfolgt bei diesen Chips über das Substrat, d.h. die Chiprückseite.

UV-B- sowie UV-C-LEDs (320 - 230 nm) hingegen, die derzeit stärker im Fokus der Entwicklung stehen, emittieren ausschließlich durch das Saphir-Substrat über die Chiprückseite. Sie werden daher mit der Episeite nach unten (epi-down) aufgebaut. Die Entwärmung der Chips erfolgt dabei über die Bondflächen auf der Vorderseite der Chips. Die Montage wird derzeit hauptsächlich auf strukturierten AlN-Substraten oder als SMD-Bauelemente auf Keramikträgern mit beschichtetem Lot realisiert. Weitere Montagetechnologien, wie das Thermokompressionsbonden in Verbindung mit Au-Bumps oder das Aufbringen von strukturierten Lotschichten auf die Chips sind derzeit in der Entwicklung. Hier finden Sie weitere Kenndaten zu LEDs.