III/V-Technologie

Im Forschungsbereich III/V-Technologie bündelt das FBH sein Know-how und seine Ressourcen in der Material- und Prozesstechnologie sowie in der Aufbau- und Verbindungstechnik. Diese bilden die Basis für die Entwicklung von Bauelementen in den Forschungsbereichen Photonik und III/V-Elektronik:

  • Epitaxie Nitride – Heterostrukturen für UV-LEDs, UV-Fotodetektoren, violette Laserdioden und GaN-Transistoren. Diese Heterostrukturen sind die Basis für die Entwicklung der entsprechenden Bauelemente am FBH. Weiterhin wird an HVPE-Prozessen für GaN- und AlGaN-Substrate und -Templates geforscht.
  • Epitaxie Arsenide – Heterostrukturen für GaAs-Laserdioden sowohl für die Bauelemententwicklung am FBH als auch für externe Kunden. Darüber hinaus werden SAM-Strukturen für gepulste Lasersysteme entwickelt.
  • Prozesstechnologie – Prozesse für eine Vielzahl von GaAs-, InP- und GaN-Bauelementen auf Waferdurchmessern von 2“ bis 4“. Diese werden auf der industriekompatiblen und zugleich flexiblen Prozesslinie durchgeführt und beständig weiterentwickelt.
  • InP Devices & SciFab – InP-HBTs für THz-Frequenzen, die die Basis für die THz-Systeme am FBH darstellen. Integriert mit Si-BiCMOS-Schaltkreisen wird diese Technologie in Kooperation mit dem Leibniz-Institut IHP auch für externe Kunden bereitgestellt.
  • Aufbau- und Verbindungstechnik – die Bauelemente werden auf Wärmesenken oder in Gehäuse eingebaut und damit für den Aufbau von Modulen und Systemen nutzbar gemacht.
  • Materialanalytik – unterstützt die Entwicklungen in der Epitaxie durch Charakterisierung der Eigenschaften der Halbeiterstrukturen. Diese Kompetenzen werden auch für die Entwicklung von Prozess- und Montageschritten sowie für die Analyse von Ausfallursachen der entwickelten Bauelemente eingesetzt.

Wir nutzen unsere technologische Infrastruktur auch für Aufträge von externen Partnern, indem wir z.B. Prozessmodule bereitstellen, Epitaxiestrukturen liefern oder Gerätedemon-stratoren entwickeln und fertigen.