X-Band GaN-MMICs

Der  GaN X-Band-MMIC-Prozess basiert auf der 250 nm Gate-Technologie und wird auf 4-Zoll GaN-SiC-Wafern durchgeführt. Dieser Prozess hat einen hohen Reproduzierbarkeitsgrad erreicht und wird in erste Linie in Verbindung mit Multi-Project-Designs eingesetzt, auf die auch externe Kunden Zugriff haben.

Auswahl von integrierten Schaltkreisen auf Basis des GaN-X-Band-MMIC-Prozesses:

  • Zweistufiger X-Band-Leistungsverstärker mit Pout = 12 W CW und einem Wirkungsgrad von  45% beim 10 GHz.
  • Robuste rauscharme Verstärker mit einer Langzeiteingangsstabilität von 43 dBm demonstriert im C-Band.
  • Kompakte digitale Leistungsverstärkermodule (Klasse-D /S-Typ) für die nächste Generation von TX-Architekturen:
    • Single-Ended: Pout bis zu 7 W, max. gesamte PAE von 62%, Mehrbandbetrieb (0,8/1,8/2,6 GHz), 4 Stufen mit Großsignalverstärkung von 40 dB.
    • Hohe PAE (62% ... 40%) von Vollaussteuerung bis 10 dB power back-off erreicht und State-of-the-Art Linearität (> 45 dB Abstand zum Nachbarkanal, 2% EVM).
    • H-Brücken-Topologie: Pout bis zu 14 W, im digitalen Doherty-Betrieb Spitzen-Draineffizienzen an Endstufe von 75% und 40% bei 6 dB und 12 dB Spitze-zu-Mittelwert-Leistungsverhältnis.
    • Modulares MMIC-Konzept: Verschiedene Architekturen von Leistungsverstärkern nutzen dieselben Leistungsmodule → verbesserte Flexibilität, niedrige Kosten.
X-Band GaN-Verstärker
X-Band GaN-Verstärker