Mikrowellen-Leistungstransistoren

Ausgangsleistung
Wikungsgrad (PAE) und Gt
Montierte Leistungstransistoren (Powerbars) demonstrieren Pout von 70 W und 70% PAE bei f = 2,0 GHz sowie 59 W Pout und 52% PAE bei f = 3,5 GHz

Kompakte Mikrowellen-Leistungstransistoren  werden auf Basis des 4-Zoll GaN-Prozesses mit 500 nm Gate-Längen-Technologie realisiert.

Die Leistungstransistoren sind weitgehend dispersionsfrei. Dazu tragen ein optimiertes Epitaxiedesign, eine optimierte Passivierung, integrierte Feldplatten sowie eine neuartigen Sputter-Gate-Technologie bei.

Die Mikrowellen Leistungstransistoren sind auf hohe Linearität und geringes Memory-Verhalten abgestimmt. In Verbindung mit einer thermisch und elektrisch optimierten Aufbautechnik erreichen sie typischerweise folgende Daten:

  • Bis zu 110 W CW-Ausgangsleistung bei 2 GHz.
  • Pout = 85 W und 60% PAE bei 2 GHz und 40 V Betriebsspannung für typische Powerbar-Designs.