Ka-Band GaN-MMICs

Der FBH Ka-Band GaN MMIC Prozess befindet sich zurzeit in Entwicklung. Er basiert auf einem neuartigen Gatemodul mit geneigten Seitenkanten (slanted Gate) und einer Gatelänge von 0,1 µm. Ka-Band Verstärker und LNAs wurden bereits demonstriert.

  • K-Band MMIC Verstärker mit folgender Spezifikation sind in Entwicklung: 10 W bei 20 GHz; Power-Added-Efficiency (PAE) > 40%
  • Ein rauscharmer Verstärker (LNA) wurde bereits demonstriert: Rauschfaktor NF = 3 dB bei 30 GHz
Prozessierter GaN-Wafer
Prozessierter GaN-Wafer