GaN Microwave Devices Lab

Die hervorragenden Eigenschaften von AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung. Diese Eigenschaften sind die Voraussetzung für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente wie diskrete Leistungstransistoren und monolithisch integrierte Mikrowellenschaltkreise (MMIC).

  • REM-Bild GaN-Transistor
    [+] REM-Bild GaN-Transistor
  • GaN-Leistungstransistor
    [+] GaN-Leistungstransistor im Gehäuse (Deckel abgenommen)
  • Querschnitt GaN-Transistor
    [+] Schematischer Querschnitt GaN-Transistor

Das FBH verfügt über zwei unterschiedliche Prozessversionen. Sie liefern diskrete GaN Leistungstransistoren für Anwendungen im L- bis  C-Band sowie GaN MMICs für das X-Band. X-Band MMICs finden beispielsweise Anwendungen in unseren digitalen Leistungsverstärkern, während diskrete GaN-Leistungstransistoren über unsere Spin-off Firma Berlin Microwave Technologies AG (BeMiTec) vermarktet darüber hinaus die aktiven Schlüsselbausteine der Mikrowellen-Plasmaquellen bilden.

Eine dritte Prozessversion für Ka-Band MMICs wird derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts GaNSAT entwickelt.