Materialanalytik - Schicht- und Strukturanalyse

Zur Materialanalytik bietet das FBH seinen Kunden umfangreiches Know-how und technische Ressourcen. Es stellt sein großes Spektrum an Messtechniken sowie Messapparaturen, die durch ständige Kontrollen auf höchstem technischen Niveau gehalten werden, vor allem bei komplexen Analyseproblemen zur Verfügung. Im Einzelnen sind dies folgende Analysemethoden:

• Röntgenbeugung  
  • Hochauflösende Röntgenbeugung zur präzisen Bestimmung von Zusammensetzung und Schichtdicke (Philips MRD, PANalytical Xpert Pro)
  • Ortsaufgelöstes Röntgenbeugungs-Mapping zur Substrat- und Schichtcharakterisierung (Philips DCDM)

• Rasterkraftmikroskopie
  • Bestimmung von Oberflächenprofilen (Höhenauflösung ca. 0.5 nm) (Topometrix Explorer TMX 1010)
    
    
• Lumineszenz (Photolumineszenz (PL), Elektrolumineszenz (EL)), Reflexion und Transmission 
  • RT-PL-Mapping zur Bestimmung von Emissionswellenlänge und Homogenität der Zusammensetzung (Accent PLM 150)
  • Spektrales Reflektionsmapping und Transmissions-/Reflexionsmessungen zur Bestimmung von Schichtdicken (Homogenität), Absorptionskanten und Spiegelcharakteristik (Accent PLM 150, Filmetrics F20)
  • Tieftemperatur PL (10 K) zur Analyse der Materialqualität mit Anregungslasern im Wellenlängenbereich von 229 nm bis 1020 nm
  • Anregungsleistungs- und temperaturaufgelöste PL (10 K - 300 K) zur Bestimmung interner Quanteneffizienzen
  • Elektrolumineszenz zur Bestimmung spektraler Emissionscharakteristika und P-U-I-Kennlinien von LEDs und Laserdioden

• Photostrom
  • Spektral- und zeitaufgelöste Messung von Photostrom zur Charakterisierung von Photodioden
    
    
• Ladungsträgerdichten
  • Elektrochemische C-V-Messung von Ladungsträgerprofilen (Accent ECV Pro, Accent PN 4300/4400)
  • Schichtwiderstand-Mappings (M-RES 2000M)
  • Halleffekt-Messungen zur Bestimmung von Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit (temperaturabhängig, magnetfeldabhängig)
    
    
• Elektronenmikroskopie
  • Rasterelektronenmikroskopie zur Oberflächenanalyse und Schichtdickenmessung (hochauflüsendes Hitachi S 4800, JEOL 840)
  • Kathodolumineszenz (77 K) zur ortsaufgelösten Messung von Lumineszenzintensität und -wellenlänge und zur Defektcharakterisierung
  • Energiedispersive Röntgenspektroskopie EDXS (electron microprobe) zur Zusammensetzungsbestimmung
  • EBIC (electron beam induced current) zur Bestimmung der Lage des p-n-Übergangs
  • Präparationstechnik (Querschnitte, Schrägschliffe, Plan-View Präperation) für REM und TEM