Mikrowellenbauelemente

Die am FBH verfügbaren Prozessmodule und die zugehörige Kompetenz bilden eine ideale Ausgangsbasis für Kooperationen bei der Entwicklung von kundenspezifischen III-V-Halbleiterbauelementen. Das Angebot reicht von individuellen Entwicklungen bis hin zur Pilotserien-Fertigung.

Das Portfolio umfasst:

• GaAs-Leistungs-Transistoren (HBTs) und MMICs mit 70 V Durchbruchspannung für den Frequenzbereich bis 2 GHz, Ausgangsleistungen bis 10 W
• GaN-HEMTs auf SiC (diskrete Bauelemente und MMICs) für Mikrowellenleistungsanwendungen bis X-Band
• Schnelle GaAs-Schottky-Dioden für hohe Leistungen und Durchbruchspannung (1.5 A Max.-Strom, 50 V Durchbruchspannung, 300 ps Recovery Zeit)