Lithographie bis sub-µm

Das FBH ermöglicht Lösungen für Problemstellungen im Bereich der Halbleiterstrukturierung:

Basisparameter

• Elektronenstrahllithographie
  Vistec SB251: 50 kV, max. 20 A/cm², Auflösung < 50 nm, Wafer bis 200 mm
• Projektionslithographie
  Waferstepper Nikon Body 10: i-Linie (Wellenlänge 365 nm), Auflösung bis 0,45 µm
• Kontaktlithographie
  Maskaligner Süss MA 100M & EVG 420: Auflösung bis 1,0 µm
• Hilfsschichtfreie Strukturierung mit Schattenmasken bei geringen Strukturgrößenanforderungen

Verfahren

• Strukturierung von photonischen Kristallen
  • Flexible Substratgrößen von Waferteilstücken bis 4“
  • Belichtung mit Elektronenstrahl oder Waferstepper oder in Kombination beider Verfahren möglich
  • Einbettung der Lithographiedienstleitung in eine Prozesslinie mit der Möglichkeit der Kombination mit Strukturierungsverfahren wie z.B. Plasmaätzen
    
    
• Strukturierung von Gates für Mikrowellentransistoren
  • Gateprozesse mit Elektronenstrahl auf GaAs und GaN verfügbar, GaN-T-Gate 0,4 µm, GaN Embedded Gate 0,25 µm
  • Optische Gatelithographie bis 0,5 µm Gatelänge
  • Einbindung in eine III/V-Prozesslinie, kurze Waferreturnzeiten durch Auftragsbearbeitung im 2-Schicht-System
  • Zertifizierungen der Prozesslinie nach ISO 9001, 14001 und 18001
    
    
• Lack-Strukturierung für Halbleiterprozesse
  • Hohe Reproduzierbarkeit durch Lackauftrag und Lackentwicklung auf Prozessrobotern
  • Prozessstandards für Lackdicken 0,5 µm .. 50 µm, Belichtung mit i-Linie und breitbandig, Positiv-, Umkehr- und Negativlacke verfügbar, VS-RS-Justage möglich
  • Freie Wahl der Substratgröße von Waferteilstücken bis 4’’-Wafern
  • Prozesserfahrungen auch mit weiteren Substratmaterialien wie z.B. ZnO, LiAlO₂ u.a.
    
    
• Hilfsschichtfreie Strukturierung z.B. von Metallstrukturen
  • Realisierung von Schattenmasken durch Lasermikrostrukturierung direkt aus den CAD-Daten
  • Scharfe Abbildung durch Vermeidung von Maskenverwerfungen durch mechanische Bearbeitung bzw. Wärmeeintrag bei der Herstellung
  • Komplettlösung inklusive Bedampfung oder Schattenmaskenherstellung als Dienstleistung