- Lasersystem im NIR-Bereich (Laserchip und passive optische Komponenten auf mikro-optischer Bank)
- Entwicklung von Halbleiterschichtstrukturen und Optimierung der Chiptechnologie
- NIR: zuverlässige Ausgangsleistungen bis 15 W (cw) und 96 µm Streifenbreite [Paper]
- Roter Spektralbereich: Optimiertes Wachstum [Paper]
- 1 W bei 635 nm aus BA-Laser mit 60 µm Streifenbreite und > 3 W bei 660 nm aus 100 µm
- 0,79 W bei 640 nm und 1,5 W bei 660 nm aus Trapezlaser [Paper]
- Konzeption hochbrillanter Lasersysteme für den optischen Leistungsbereich > 5 W mit guter Strahlqualität (M² < 3) und schmaler spektraler Linienbreite im NIR-Spektralbereich
- DBR-Trapezlaser: hohe Ausgangsleistung bis 12 W bei hervorragender Strahlqualität und spektraler Schmalbandigkeit [Paper]
- Strom-Lichtleistungs-Kennlinie und Spektrum eines DBR-Trapezlasers
- Präzisionsmontage von Halbleiterbauelementen und Optiken auf einer mikrooptischen Bank
- Hybrider MOPA auf Mikrobank [Paper]
- Gepulste Laserstrahlquellen mit Pmax > 20 W [Paper]
- DBR-RW mit 1,4 MHz Linienbreite [Paper]
- SHG-Konzepte
- SHG-Bulk
- SHG Bulk 1d / 2d Wellenleiter
- Gradientenheizer
- Konzeption von Lasersystemen für den sichtbaren Spektralbereich
- Einfluss der Strahlqualität auf die Frequenzkonversion [Paper]
- Über 1,5 W Ausgangsleistung bei 488 nm auf einer optischen Bank
- 1 W bei 490 nm aus Mikromodul [Paper]
- Diodenlasermodul mit Frequenzkonversion in den sichtbaren Spektralbereich, re: Optische Ausgangsleistung und Peakwellenlänge des emittierten Spektrums als Funktion der Messzeit
