Studenten und Doktoranden

Das Ferdinand-Braun-Institut ist eines der international führenden Forschungsinstitute auf den Gebieten Hochleistungsdiodenlaser sowie Mikrowellenkom­ponenten und -systeme. Seine anwendungsorientierten Forschungsarbeiten basieren auf III/V-Verbindungshalbleitern (GaAs, GaN) und reichen von Simulation und Entwurf über die Halbleitertechnologie bis zur Montage und Lieferung von einsatzfähigen Modulen.

In enger Zusammenarbeit mit seinen Forschungs- und Industriepartnern setzt das FBH Forschungsergebnisse in vielfältige Anwendungen um, u.a. in der Kommunikations-, Laser- und Weltraumtechnologie. Für künftige Anwendungen führt das Institut grundlegende Untersuchungen an Nitriden durch.

Das Ferdinand-Braun-Institut gehört zum Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

Sie sind engagiert, hoch motiviert und arbeiten gerne im Team. Wir betreuen Promotionen, Diplom-, Master- und Bachelorarbeiten und beschäftigen studentische MitarbeiterInnen in den Bereichen

• Physik
• Elektrotechnik
• Hochfrequenztechnik
• Mikrosystemtechnik
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Wir freuen uns über Ihre Bewerbung mit den üblichen Unterlagen. Bitte senden Sie diese an den jeweiligen Ansprechpartner.

Initiativbewerbungen senden Sie bitte an die Personalabteilung oder direkt an den jeweiligen Abteilungs- bzw. Geschäftsbereichsleiter des von Ihnen gewünschten Bereiches.

Das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) arbeitet an der Entwicklung von Laserdioden verschiedenen Designs im violetten Spektralbereich (λ ~ 390 – 440 nm). Solche Bauelemente sind u.a. für zahlreiche Anwendungen in der Spektroskopie, der Drucktechnik, der Kommunikationstechnologievon großem Interesse. Ein Ziel besteht darin, die Ausgangsleistung und die Zuverlässigkeit dieser Dioden zu erhöhen. Dies erfordert zum einen eine Optimierung der epitaktischen Schichtstrukturen auf Basis der Grupppe-III-Nitride (GaN, AlN, InN). Zum anderen muss die Physik grundlegender Lasereigenschaften wie z.B. optische und elektrische Verlustmechanismen oder Degradationseffekte verstanden werden. Zugang dazu liefern elektrooptische Parameter, die aus den Betriebseigenschaften der hergestellten Laserdioden gewonnen werden.

Am FBH steht dafür ein Messplatz zur Verfügung, an dem Strom, Spannung, optische Leistung, Spektrum, Fern- und Nahfeldverteilung in Abhängigkeit von der Temperatur gemessen werden können. Im Rahmen einer Bachelor-/Masterarbeit sollen Breitstreifen- und Rippenwellenleiter-Laserdioden aus Wafern mit unterschiedlichen Epitaxiestrukturen und mit verschiedenen Streifen- bzw. Rippenbreiten, Resonatorlängen und Facettenreflektivitäten vermessen und daraus Größen wie Schwelle, Effizienz, optische Verluste, charakteristische Temperatur, Fernfeldwinkel, Serienwiderstand u.a. bestimmt werden. Darauf aufbauend sollen Modellrechnungen Vorschläge für die weitere Designoptimierung des Laserdioden liefern.

Abhängigkeit der mikrogalvanischen Goldabscheidung von ausgewählten Prozess-Parametern

Die Mikrogalvanik kommt zur Herstellung dickerer Goldschichten zum Einsatz, wie sie z.B. für Luftbrücken oder Kontaktflächen benötigt werden. Am FBH stehen dafür Galvanikanlagen mit verschiedenen Strömungscharakteristika zur Verfügung.

Im Rahmen der Arbeit sollen vergleichende Untersuchungen zur Homogenität der Goldabscheidung an charakteristischen Layouts von Mikrowellen- und Laser-Bauelementen durchgeführt werden. Ziel soll es sein, Prozessempfehlungen für den Einsatz in der aktuellen Technologieentwicklung von Halbleiterbauelementen zu erarbeiten.