Studenten und Doktoranden

Das Ferdinand-Braun-Institut ist eines der international führenden Forschungsinstitute auf den Gebieten Hochleistungsdiodenlaser sowie Mikrowellenkom­ponenten und -systeme. Seine anwendungsorientierten Forschungsarbeiten basieren auf III/V-Verbindungshalbleitern (GaAs, GaN) und reichen von Simulation und Entwurf über die Halbleitertechnologie bis zur Montage und Lieferung von einsatzfähigen Modulen.

In enger Zusammenarbeit mit seinen Forschungs- und Industriepartnern setzt das FBH Forschungsergebnisse in vielfältige Anwendungen um, u.a. in der Kommunikations-, Laser- und Weltraumtechnologie. Für künftige Anwendungen führt das Institut grundlegende Untersuchungen an Nitriden durch.

Das Ferdinand-Braun-Institut gehört zum Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

Sie sind engagiert, hoch motiviert und arbeiten gerne im Team. Wir betreuen Promotionen, Diplom-, Master- und Bachelorarbeiten und beschäftigen studentische MitarbeiterInnen in den Bereichen

• Physik
• Elektrotechnik
• Hochfrequenztechnik
• Mikrosystemtechnik
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Wir freuen uns über Ihre Bewerbung mit den üblichen Unterlagen. Bitte senden Sie diese an den jeweiligen Ansprechpartner.

Initiativbewerbungen senden Sie bitte an die Personalabteilung oder direkt an den jeweiligen Abteilungs- bzw. Geschäftsbereichsleiter des von Ihnen gewünschten Bereiches.

Elektrooptische und thermische Eigenschaften ultraviolett emittierender Leuchtdioden auf der Basis von GaN

Am Ferdinand-Braun-Institut (FBH) werden Leuchtdioden (LEDs) mit einer Emission im tiefen ultravioletten (UV) Spektralbereich (Wellenlänge ~ 280 ... 320 nm) entwickelt. Solche Bauelemente sind für zahlreiche Anwendungen wie die Wasserdesinfektion, die Behandlung von Hautkrankheiten, die Aushärtung von Farben und Kunststoffen, die Spektroskopie u.a. von großem Interesse. Das Hauptziel besteht zurzeit darin, die Effizienz, die maximale Ausgangsleistung und die Zuverlässigkeit dieser Dioden deutlich zu erhöhen. Dazu werden unter anderem neue Konzepte für das Design des LED-Chips untersucht wie z. B. die Verwendung hochreflektierender Metallkontakte für eine effizientere Lichtauskopplung oder komplexer Kontaktgeometrien für eine effektivere Wärmeabfuhr.

Im Rahmen der Diplomarbeit sollen insbesondere UV-LEDs in Form von Chips, die auf Submounts aufgelötet sind, bezüglich ihrer elektrooptischen und thermischen Eigenschaften untersucht werden. Am FBH steht dafür ein teilautomatisierter Messplatz zur Verfügung, an dem Strom, Spannung, optische Leistung und das Spektrum von LEDs gemessen werden können. In den Messplatz kann eine Thermokamera integriert werden, mit Hilfe derer die räumliche Temperaturverteilung über den Chip hinweg vermessen werden kann. Bestandteil der Arbeit ist ebenfalls eine Erweiterung des Messplatzes. Zum einen sollen „On-Wafer“-Messungen, bei denen die Abstrahlung über die Waferrückseite oder Wafervorderseite erfolgt, mit ähnlicher Genauigkeit möglich werden. Zum anderen sollen Messungen an gehausten LED-Chips über die Integration einer Ulbrichtkugel erfolgen. Voraussetzung für die Diplomarbeit sind Ihre Freude an und Ihre Fähigkeit zu kooperativem Arbeiten in einem Team. Vorkenntnisse aus dem Bereich der Halbleiterphysik sind erwünscht; der Eintrittstermin wäre ab sofort.

Das Ferdinand-Braun-Institut arbeitet an der Entwicklung von Laserdioden verschiedenen Designs im violetten Spektralbereich (Wellenlängenbereich ~ 390 - 450 nm). Solche Bauelemente sind für zahlreiche Anwendungen in der Spektroskopie, der Drucktechnik, der Kommunikationstechnologie u.a. von großem Interesse. Ein Ziel besteht darin, die Ausgangsleistung und die Zuverlässigkeit dieser Dioden zu erhöhen. Dies erfordert zum einen eine Optimierung der epitaktischen Schichtstrukturen auf Basis der Grupppe-III-Nitride (GaN, AlN, InN). Zum anderen muss die Physik grundlegender Lasereigenschaften wie z.B. optische und elektrische Verlustmechanismen oder Degradationseffekte verstanden werden. Zugang dazu liefern elektrooptische Parameter, die aus den Betriebseigenschaften der hergestellten Laserdioden gewonnen werden.

Am FBH steht dafür ein Messplatz zur Verfügung, an dem Strom, Spannung, optische Leistung, Spektrum, Fern- und Nahfeldverteilung in Abhängigkeit von der Temperatur gemessen werden können. Im Rahmen der Diplom-/Masterarbeit sollen Breitstreifen- und Rippenwellenleiter-Laserdioden aus Wafern mit unterschiedlichen Epitaxiestrukturen und mit verschiedenen Streifen- bzw. Rippenbreiten, Resonatorlängen und Facettenreflektivitäten vermessen und daraus Größen wie Schwelle, Effizienz, optische Verluste, charakteristische Temperatur, Fernfeldwinkel, Serienwiderstand u. a. bestimmt werden. Darauf aufbauend sollen Modellrechnungen Vorschläge für die weitere Designoptimierung des Laserdioden liefern. Vorkenntnisse aus den Bereichen Festkörperphysik, Angewandte Physik oder Optoelektronik sind erwünscht; der Eintrittstermin wäre ab sofort.

Herstellung und Charakterisierung von transparenten Kontaktsystemen

Leitfähige und transparente Schichten sind als Kontakte auf lichtemittierenden oder Strahlung verarbeitenden Halbleiterbauelementen von besonderem Interesse.

Im Rahmen der Arbeit, sollen solche Schichten durch Sputterverfahren hergestellt werden und in Abhängigkeit von den Prozessparametern hinsichtlich ihrer mechanischen, optischen und elektrischen Eigenschaften charakterisiert und optimiert werden.

Die Mikrogalvanik kommt zur Herstellung dickerer Goldschichten zum Einsatz, wie sie z.B. für Luftbrücken oder Kontaktflächen benötigt werden. Am FBH stehen dafür Galvanikanlagen mit verschiedenen Strömungscharakteristika zur Verfügung.

Im Rahmen der Arbeit sollen vergleichende Untersuchungen zur Homogenität der Goldabscheidung an charakteristischen Layouts von Mikrowellen- und Laser-Bauelementen durchgeführt werden. Ziel soll es sein, Prozessempfehlungen für den Einsatz in der aktuellen Technologieentwicklung von Halbleiterbauelementen zu erarbeiten.

Oszillationsüberwachung

Am FBH werden Mikrowellen-Leistungstransistoren hergestellt und messtechnisch untersucht. Bei S-Parameter-Messungen und insbesondere bei Load-Pull-Messungen können Eigenschwingungen des Transistors im Messumfeld auftreten, was zu Fehlmessungen oder der Zerstörung des Transistors führen kann. Es soll eine Überwachungsschaltung aufgebaut werden, die das Auftreten unerwünschter Frequenzen detektiert und die Sicherheitsabschaltung der Versorgungsspannung auslöst.