Hochleistungslaser auf der Basis von GaN

Der Schwerpunkt der Aktivitäten liegt in der Entwicklung von Hochleistungsdiodenlasern auf der Basis von GaN für den Wellenlängenbereich um 405 nm. Anwendungen finden solche Laser z. B. in den Bereichen

• Materialbearbeitung
• Rapid Prototyping, Tooling und Manufacturing (z.B. Stereolithografie)
• Druckindustrie (z.B. Computer-to-Plate)
• Medizintechnik
• Bioanalytik

Die Forschungsaktivitäten beinhalten beispielsweise die Epitaxie von InGaN-Vielfachquantenfilmstrukturen, das Wachstum auf GaN-Substraten niedriger Defektdichte, die Prozessentwicklung zum Spalten von Facetten, die Realisierung dielektrischer Schichten für die End- und Verspiegelung von Laserfacetten und die Entwicklung von Breitstreifen- und Rippenwellenleiterstrukturen. Im Rahmen des Projektes wurden Laserdioden auf GaN-Substraten mit einer Emission bei 405 nm und Schwellstromdichten von 4.4 kA/cm² realisiert. Ein wichtiges Ziel der Arbeiten ist der Dauerstrichbetrieb von GaN-Diodenlasern und die Entwicklung komplexerer Laserstrukturen auf der Basis von GaN wie z.B. Halbleiterscheibenlaser.