GaN-Optoelektronik

Der Geschäftsbereich GaN-Optoelektronik befasst sich mit der Entwicklung innovativer Lichtemitter auf der Basis von Gruppe-III-Nitriden. Durch das Materialsystem AlN-GaN-InN wird ein außerordentlich großer Wellenlängenbereich abgedeckt, der sich vom fernen Ultraviolett (UV) über den ganzen sichtbaren Spektralbereich bis ins nahe Infrarot erstreckt und so zahlreiche neue Anwendungsfelder eröffnet. Das FBH beschäftigt sich in diesem Bereich insbesondere mit der Realisierung von Hochleistungslasern, Diodenlasern für den blau-grünen Spektralbereich und Leuchtdioden (LEDs) im nahen und fernen UV. Ein weiterer Schwerpunkt liegt in der Entwicklung anwendungsspezifischer Bauelementstrukturen wie z. B. Distributed-Feedback(DFB)-Diodenlasern oder Superlumineszenz-LEDs. Die Aktivitäten beinhalten sowohl das Bauelementdesign als auch die Epitaxie von InAlGaN-Heterostrukturen, bis hin zur Fabrikation und Charakterisierung von Diodenlasern und LEDs.

Das Hauptziel der bisherigen Forschungsarbeiten besteht darin, Basistechnologien im Bereich der GaN-Optoelektronik zu etablieren, wobei die Realisierung von Diodenlasern mit einer Emission bei 405 nm im Vordergrund steht. Neben diesen grundlegenden Arbeiten konzentrieren sich die Forschungsaktivitäten gegenwärtig auf die Entwicklung von LEDs im nahen UV (350 nm bis 375 nm), GaN-basierten Scheibenlaserstrukturen bei 405 nm und kantenemittierenden Diodenlasern für den blauen Spektralbereich (440 nm bis 460 nm).