Mikrowellentransistoren & MMIC

Die hervorragenden Eigenschaften von AlGaN/GaN Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung. Diese Eigenschaften sind die Voraussetzung für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente wie diskrete Leistungstransistoren und monolithisch integrierte Mikrowellenschaltkreise (MMIC).

In diesem Zusammenhang entwickelt das FBH gegenwärtig folgende Mikrowellenbauelemente:

• Weitgehend dispersionsfreie Bauelemente durch geeignetes Epitaxiedesign, optimierte Kanal-Passivierung und den Einsatz von integrierten Feldplatten
• Leistungsbauelemente optimiert auf hohe Linearität und geringes Memory-Verhalten
• Kompakte Leistungszellen durch thermisch und elektrisch optimierte Aufbautechnik:
  • Bis zu 100 W CW Ausgangsleistung bei 2 GHz demonstriert
  • Hohe Leistungsdichten bei 2 GHz demonstrieren das Potential der FBH-GaN-Technologie: 11 W/mm bei 60 V Drainspannung und 2 GHz, 2x125 µm Bauelementgeometrie

• Mehrstufige X-Band Leistungsverstärker:
  Zweistufiger MMIC-Verstärker: 16 W CW bei 8 GHz, Wirkungsgrad (PAE) 35%
• Robuste rauscharme Verstärker:
  Rauscharmer C-Band Verstärker mit einem zulässigen Eingangsleistungspegel von 33 dBm demonstriert
• Getaktete Mikrowellen-Schaltverstärker:
  Schaltverstärkermodul mit 93% PAE bei 450 MHz demonstriert