Lebensdauermesstechnik

Die Charakterisierung der Lebensdauer und die Analyse von Ausfallmechanismen sind ein wesentlicher Bestandteil der Entwicklung von GaN-Bauelementen.

• Tests zur Vorselektion von Bauelementen:
  
  • Aussondern von Bauelementen mit Frühausfällen
• On-Wafer Stresstests zur Erfassung der Robustheit der Bauelemente: 
  
  • Stufenförmig erhöhte Stressbedingungen bis zur Degradationsschwelle
• DC- und RF-Langzeit-Lebensdauertests:
  
  • Langzeit-Lebensdauertests bei verschieden Kanaltemperaturen und Arbeitspunkten
  • Bestimmung der extrapolierten Lebensdauer

• 2 On-Wafer Messplätze zur Durchführung von Zuverlässigkeitsuntersuchung für jeweils 5 Transistoren
• Langzeit DC-Testeinrichtungen zur Durchführung thermisch und elektrisch aktivierter Lebensdauertests mit 142 Messplätzen, bis 1100 V Betriebsspannung und 50 W Verlustleistung pro Testobjekt
• Hochfrequenz-Lebensdauermessplatz für L- und X-Band, 8 Messplätze, Verlustleistung bis 200 W pro Testobjekt