GaN-Elektronik

Ziel des Geschäftsbereichs GaN-Elektronik ist die Entwicklung und reproduzierbare Herstellung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen und der Transfer dieser Technologie in eine industrielle Umgebung. Mikrowellen-Leistungsbauelemente (diskrete Leistungstransistoren und MMICs) für Anwendungen in Mobilfunk-Basisstationen und der Satelliten-Kommunikationstechnik sowie Hochspannungs-Leistungstransistoren für schnelle Schalter in der Leistungselektronik bilden die thematischen Schwerpunkte. Alle Entwicklungen basieren auf dem synergetischen Zusammenwirken von

• Bauelementsimulation (physikalisch, thermisch)
• Epitaxie
• Prozesstechnologie
• Mikrowellendesign und Charakterisierung
• Lebensdauermesstechnik und Degradationsanalyse

Die anwendungsorientierten Forschungs- und Entwicklungsarbeiten zur GaN-Elektronik zielen auf eine industrielle Verwertung der erreichten Ergebnisse. In diesem Zusammenhang bestehen in den laufenden Projekten intensive Kooperationsbeziehungen mit der Firma UMS (united monolithic semiconductors). Darüber hinaus bietet die Berlin Microwave Technologies AG (BeMiTec), ein aus dem FBH ausgegründetes Spin-off GaN-Bauelemente als Forschungsprototypen an. Sie ermöglichen es, potenziellen Kunden frühzeitig die Eignung der GaN-Technologie in innovativen Systemen zu evaluieren.