Transfer Substrat

Ziel des Projekts ist es, eine Terahertz-Technologie für integrierte Höchstfrequenzschaltungen (MMIC) bereitzustellen. Damit wird der Terahertzbereich (0,1 – 10 THz) im elektromagnetischen Spektrum zugänglich, der technisch weitgehend unerschlossen im Übergang von der Elektronik zur Optik liegt.

Auf der Basis von InP-Heteroübergang-Bipolar-Transistoren (HBT) wurde ein 3“-Transfer-Substrat-Prozess entwickelt. Durch Entfernen des Episubstrats ermöglicht dieser den justierten lithographischen Zugang zur Vorder- und Rückseite des Bauelements. Damit erlaubt das innovative Bauelementkonzept, dominante parasitäre Kapazitäten des Transistors zu eliminieren. Gleichzeitig wird eine thermisch- und hochfrequenz-optimierte Peripherie aufgebaut.

Mittels 0,8 μm Stepper-Lithographie konnten so Grenzfrequenzen von f_t = 410 und f_max = 480 GHz @ BV_ceo = 5,5 V erreicht und Wanderwellenverstärker aufgebaut werden.