Rückseitenprozess für Mikrowellenbauelemente

Der Rückseitenprozess dient zur Herstellung der gewünschten Funktionalität der Waferrückseite. Dazu wird zunächst die Vorderseite des Wafers geschützt und danach der Wafer mit der Vorderseite nach unten auf einen Träger gebondet, um die Rückseite prozessieren zu können. Nach dem Abdünnen des Wafers auf eine Dicke von bis zu 100 µm können unterschiedliche Metallschichten aufgebracht werden, die zum Bonden und zur thermischen Ankontaktierung dienen.

Für Anwendungen im Mikrowellenbereich können kurze Zuleitungen nötig sein, um die Hochfrequenzeigenschaften zu verbessern. Dieses Ziel wird erreicht, indem Bonddrähte durch Durchgangskontakte ersetzt werden, die Vorder- und Rückseite des Chips elektrisch leitend verbinden. Durchgangskontaktlöcher (Vias) werden entweder per Laserbohren oder durch trockenchemische Ätzung hergestellt, mit einer Galvanikstartschicht versehen und galvanisch gefüllt. Nach dem Ablösen und Reinigen ist der Wafer bereit zum Vereinzeln.

Technologische Standardverfahren

• Rückseitenprozessierung von Wafern bis 4" (GaAs) bzw. 3" (SiC/GaN)
• Viadurchmesser typisch 60 µm
• Viadurchstrukturierung trockenchemisch oder alternativ durch Laserablation