Laser-Technologie

Neben laufenden Forschungsarbeiten stellt die Gruppe Laser-Technologie etablierte Prozesslinien zur Herstellung von RW-, BA- und Trapez-Diodenlasern sowie Laserbarren bereit. Die Schichtstrukturen werden auf Substraten von 2" und 3" Durchmesser prozessiert. Für frequenzstabilisierte Diodenlaser (DFB- und DBR-Laser) werden zusätzlich Gitterstrukturen in den Laserresonator eingebracht.

• Kontakt- und Projektionslithographie einschließlich periodischer Strukturen ab 500 nm
• Holographische Belichtung für periodische Strukturen von 140 nm ... 400 nm
• Nass- und trockenchemische Ätzverfahren zur Realisierung von Wellenleitern
• Ionenstrahlsputtern und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten
• Aufdampf- und Sputterverfahren für p- und n-Kontakte
• Elektrochemische Abscheidung von Gold
• Backend-Prozess (Abdünnen, automatisiertes Ritzen und Brechen)
• Passivierungsverfahren für Halbleiteroberflächen
• Facettenbeschichtung für Reflexionsgrade im Bereich 0.01% ... >98%