Mikromechanischer Resonator
Mikromechanischer Resonator hergestellt durch Unterätzen eines DBR-Spiegels; Prozess und Foto: Universität Wien, Gruppe Prof. Aspelmeyer.
Halbleiterscheibenlaser
Schematischer Aufbau eines Halbleiter-Scheibenlasers, gepumpt mit Hochleistungsdiodenlasern.

Optische Sonderbauelemente

Die hohe Kompetenz des FBH bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie und besonders bei der hochpräzisen und hochreinen Abscheidung komplexer Schichtstrukturen ermöglicht die Realisierung weiterer optischer Bauelemente über das Kerngeschäftsfeld der kantenemittierenden, monolithischen und hybriden Diodenlaser hinaus.

Auf der Basis von GaAs sind dies Bauelemente mit epitaktisch hergestellten DBR-Spiegelschichten (distributed Bragg reflector):

  • Hochreine DBR-Spiegel werden z.B. für Anwendungen in der Metrologie, für die nächste Generation von Atomuhren oder für Präzisionsmessungen zum Test der Quantenelektrodynamik entwickelt.
  • Für den Ultrakurzzeit-Betrieb von Halbleiter-Scheibenlasern werden sowohl die Scheibenlaser selber als auch sättigbare Halbleiterabsorber (SESAM) hergestellt. Die am FBH entwickelten SESAMs werden auch in kommerziellen Kurzpuls-Lasersystemen auf der Basis von Festkörperlasern eingesetzt. 
  • Die Kompetenz bei oberflächenemittierenden Laserdioden (VCSEL) wird derzeit nicht in Projekten genutzt, auf sie kann jedoch jederzeit wieder zurückgegriffen werden.

Auf der Basis von GaN werden Photodetektoren für den nahen bis fernen UV-Bereich entwickelt, die durch ihre Solarblindheit und hohe Strahlungsfestigkeit ein breites Einsatzspektrum ermöglichen. Für den UV-A-Bereich werden Absorberschichten aus InGaN und GaN verwendet. Mit Absorberschichten aus AlGaN werden Detektoren bis in den VUV-Bereich entwickelt. Die Prozessierung der Halbleiterschichten zu MSM-Detektoren (metal-semiconductor-metal) erfolgt in Kooperation mit dem Geschäftbereich GaN-Optoelektronik.

MSM-Photodetektor

MSM Photodetektor
Prinzipskizze einer UV-Photodiode mit MSM-Struktur.

Ansprechpartnerin

Dr. Andrea Knigge
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