Materialtechnologie

In der Materialtechnologie beginnt die Umsetzung der Konzepte für optoelektronische und elektronische Bauelemente. Als Kompetenzzentrum für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellt die Abteilung ultradünne Halbleiter-Schichtstrukturen her. Dazu werden auf einem einkristallinen Substrat, Atomlage für Atomlage, homogene Schichten mit exakt definierten Eigenschaften aufgewachsen. Diese Wafer bearbeitet die Abteilung Prozesstechnologie mittels Ätz- und Metallisierungstechniken weiter zu Bauelementen.

Die so hergestellten Schichtstrukturen basieren auf den Materialsystemen (Al,Ga)As, (Al,Ga,In)P, (Ga,In)(As,P) und (Al,Ga,In)N. Dazu sind sechs MOVPE-Anlagen im Einsatz, mit denen die Herstellung von Schichtstrukturen in den folgenden Kapazitäten möglich ist:
3 x 2" bis 5 x 4" für die GaAs Epitaxie sowie 11 x 2" bis 8 x 4" für die GaN- und AlN-Epitaxie.

Zur Herstellung dicker Schichten aus GaN und AlGaN als Substrate bzw. Pseudosubstrate für Schichtstrukturen aus (Al,In)GaN wird das Verfahren der Hydrid-Gasphasenepitaxie erforscht, das eine Wachstumsrate von mehreren hundert Mikrometern pro Stunde zulässt.

Die Entwicklung und Optimierung des Schichtwachstums wird durch eine Vielzahl analytischer Methoden unterstützt.

Als Epiwafer-Foundry bietet das FBH sein Know-how und seine Epitaxiekapazitäten auch externen Kunden zur Realisierung kundenspezifischer Schichtstrukturen in exzellenter Qualität an. Auf Wunsch führt das Institut auch materialanalytische Untersuchungen an Halbleiterschichten und Bauelementen durch.